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FDS3580  与  RS6N120BHTB1  区别

型号 FDS3580 RS6N120BHTB1
唯样编号 A-FDS3580 A-RS6N120BHTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 29 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29m Ohms@7.6A,10V 3.3m Ohms
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8
连续漏极电流Id 7.6A ±135A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS3580 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 100 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

¥66.8948 

阶梯数 价格
3: ¥66.8948
10: ¥15.2456
50: ¥10.5215
50 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 0 对比

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