FDS3580 与 RS6N120BHTB1 区别
| 型号 | FDS3580 | RS6N120BHTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS3580 | A-RS6N120BHTB1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 80 V 29 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29m Ohms@7.6A,10V | 3.3m Ohms |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 104W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 |
| 连续漏极电流Id | 7.6A | ±135A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS3580 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.6A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 29m Ohms@7.6A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 80V 7.6A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥25.2688
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7 | 对比 | ||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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