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FDP3652  与  IPP12CN10LGXKSA1  区别

型号 FDP3652 IPP12CN10LGXKSA1
唯样编号 A-FDP3652 A-IPP12CN10LGXKSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 150W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 16 毫欧 @ 61A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
连续漏极电流Id 9A -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12 毫欧 @ 69A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 83uA
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 69A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP3652 ON Semiconductor 通用MOSFET

9A(Ta),61A(Tc) ±20V 150W(Tc) 16m Ohms@61A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 100V 9A 16 毫欧 @ 61A,10V -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
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±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W

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-55°C~175°C(TJ) 73A 14mΩ 190W 车规

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