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FDP20N50F  与  IPP50R280CE  区别

型号 FDP20N50F IPP50R280CE
唯样编号 A-FDP20N50F A-IPP50R280CE
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 250W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 260 毫欧 @ 10A,10V 280mΩ
上升时间 - 6.4ns
Qg-栅极电荷 - 32.6nC
栅极电压Vgs ±30V 13V
封装/外壳 TO-220AB -
连续漏极电流Id 20A 13A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7.6ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3390pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 92W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 UniFET™ CoolMOSCE
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3390pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP20N50F ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220AB

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