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FDP20N50F  与  AOT22N50L  区别

型号 FDP20N50F AOT22N50L
唯样编号 A-FDP20N50F A-AOT22N50L
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 250W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 260 毫欧 @ 10A,10V 260 mΩ @ 11A,10V
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 417W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
连续漏极电流Id 20A 22A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 UniFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3390pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 83nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3390pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP20N50F ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220AB

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