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FDN5630  与  IRLML0060TRPBF  区别

型号 FDN5630 IRLML0060TRPBF
唯样编号 A-FDN5630-1 A-IRLML0060TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 100 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 92mΩ@2.7A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN5630 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN6140L-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 700mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 1.6A(Ta)

¥0.4953 

阶梯数 价格
110: ¥0.4953
500: ¥0.4511
2,500: ¥0.4173
5,000: ¥0.3887
10,000: ¥0.3575
37,823 对比
SI2310-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.249 

阶梯数 价格
210: ¥0.249
1,500: ¥0.2175
3,000: ¥0.192
8,584 对比
MMBF170LT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
MMBF170LT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

¥0.4966 

阶梯数 价格
110: ¥0.4966
200: ¥0.3198
1,470 对比
IRLML0060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23

暂无价格 0 对比

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