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FDN360P  与  DMP3130LQ-7  区别

型号 FDN360P DMP3130LQ-7
唯样编号 A-FDN360P-2 A36-DMP3130LQ-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 80 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 P-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ
上升时间 - 6.5ns
漏源极电压Vds - 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs - 1.3V
典型关闭延迟时间 - 27.8ns
正向跨导 - 最小值 - 8S
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.5A
系列 - 汽车级,AEC-Q101
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 864pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 15ns
典型接通延迟时间 - 4.6ns
库存与单价
库存 0 5,596
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.166
200+ :  ¥0.8976
1,500+ :  ¥0.781
3,000+ :  ¥0.726
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN360P ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
17,822 对比
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规

¥1.166 

阶梯数 价格
50: ¥1.166
200: ¥0.8976
1,500: ¥0.781
3,000: ¥0.726
5,596 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta)

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
200: ¥0.6279
586 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.3549
253 对比
DMP3068L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 3.3A(Ta) ±12V 700mW(Ta) 72m Ohms@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30V 3.3A

暂无价格 75 对比

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