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FDN358P  与  AO3409  区别

型号 FDN358P AO3409
唯样编号 A-FDN358P A36-AO3409
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 26
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V 110mΩ@-2.6A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 180mΩ
Qgd(nC) - 1.1
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 SuperSOT SOT-23-3
连续漏极电流Id 1.5A -2.6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 197
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
Trr(ns) - 11.3
Td(off)(ns) - 11.8
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 4.4
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
Coss(pF) - 42
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 0 7,778
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6149
200+ :  ¥0.3965
1,500+ :  ¥0.3458
3,000+ :  ¥0.3055
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

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90: ¥0.6149
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1,500: ¥0.3458
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