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FDN336P  与  SI2301A-TP  区别

型号 FDN336P SI2301A-TP
唯样编号 A-FDN336P-1 A-SI2301A-TP
制造商 ON Semiconductor MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 20V 0.2 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 500mW(Ta) 1.25W
功率 500mW(Ta) -
漏源极电压Vds 20V 20V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET 类型 - P-Channel
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SuperSOT-3 SOT-23
输入电容Ciss - 880pF @ 6V
连续漏极电流Id 1.3A 2.8A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 14.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
导通电阻Rds(On) 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V 120mΩ@2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN336P ON Semiconductor 通用MOSFET

1.3A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 200m Ohms@1.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.3A 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3

暂无价格 0 当前型号
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C

¥0.6552 

阶梯数 价格
80: ¥0.6552
200: ¥0.4888
1,500: ¥0.4446
3,000: ¥0.416
56,024 对比
BSH205G2VL Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 170mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V 0.48W 150°C 8V,-0.7V -20V -2.3A 车规

¥0.5138 

阶梯数 价格
10,000: ¥0.5138
20,000: ¥0.4932
50,000 对比
AO3423 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 P-Channel -20V ±12V -2A 1.4W 92mΩ@-2A,-10V -55°C~150°C

¥0.6252 

阶梯数 价格
80: ¥0.6252
200: ¥0.4667
1,500: ¥0.4251
3,000: ¥0.3965
14,910 对比
NVR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236) 车规

暂无价格 9,000 对比
SI2301A-TP MCC 小信号MOSFET

SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V

暂无价格 6,000 对比

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