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FDN308P  与  AO3423  区别

型号 FDN308P AO3423
唯样编号 A-FDN308P A36-AO3423
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 125 mOhm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 37
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V 92mΩ@-2A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 118mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 166mΩ
Qgd(nC) - 0.9
栅极电压Vgs ±12V ±12V
Td(on)(ns) - 11
封装/外壳 SuperSOT SOT-23
连续漏极电流Id 1.5A -2A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 325
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 341pF @ 10V -
Trr(ns) - 6.1
Td(off)(ns) - 8
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 1.4
VGS(th) - -1.2
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 341pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 63
Qg*(nC) - 3.2
库存与单价
库存 0 13,718
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5863
200+ :  ¥0.4485
1,500+ :  ¥0.3887
3,000+ :  ¥0.3458
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN308P ON Semiconductor 通用MOSFET

1.5A(Ta) ±12V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
NX2301P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX2301P_SOT23 P-Channel 0.4W -55°C~150°C ±8V -20V -2A 车规

¥0.5356 

阶梯数 价格
100: ¥0.5356
200: ¥0.3471
1,500: ¥0.3016
3,000: ¥0.2665
29,659 对比
NX2301P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX2301P_SOT23 P-Channel 0.4W -55°C~150°C ±8V -20V -2A 车规

¥0.5882 

阶梯数 价格
560: ¥0.5882
1,000: ¥0.4596
1,500: ¥0.3767
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AO3423 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 P-Channel -20V ±12V -2A 1.4W 92mΩ@-2A,-10V -55℃~150℃

¥0.5863 

阶梯数 价格
90: ¥0.5863
200: ¥0.4485
1,500: ¥0.3887
3,000: ¥0.3458
13,718 对比
SI2301-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.3406 

阶梯数 价格
150: ¥0.3406
200: ¥0.255
1,500: ¥0.2205
3,000: ¥0.195
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NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 6,000 对比

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