FDN302P 与 DMG3415U-7 区别
| 型号 | FDN302P | DMG3415U-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDN302P-1 | A3-DMG3415U-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | P-Channel 20 V 55 mOhm 2.5V Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 500mW(Ta) | - |
| 宽度 | - | 1.3mm |
| 上升时间 | - | 117ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 9.1nC |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V |
| 封装/外壳 | SuperSOT-3 | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 2.4A | 4A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | 1.8V,4.5V |
| 下降时间 | - | 393ns |
| 导通电阻Rds(On) | 55 毫欧 @ 2.4A,4.5V | 39mΩ@4A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 882pF @ 10V | - |
| 高度 | - | 1mm |
| 功率耗散Pd | 500mW(Ta) | 900mW |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 795ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | PowerTrench® | DMG3415 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 882pF @ 10V | 294pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 4.5V | 9.1nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 71ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 21,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN302P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.4A(Ta) ±12V 500mW(Ta) 55m Ohms@2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 2.4A 55 毫欧 @ 2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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PMV50UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A |
¥0.5765
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 74mΩ@2.8A,4.5V 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
¥0.3107
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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AO3401A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V |
¥0.7176
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122,103 | 对比 | ||||||||||
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DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4A 900mW 39mΩ@4A,4.5V 20V ±8V P-Channel |
暂无价格 | 21,000 | 对比 | ||||||||||
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PMV50UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A |
¥2.9018
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15,000 | 对比 |