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FDMS86102LZ  与  DMNH10H028SPS-13  区别

型号 FDMS86102LZ DMNH10H028SPS-13
唯样编号 A-FDMS86102LZ A-DMNH10H028SPS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),69W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@7A,10V 28mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),69W(Tc) 1.6W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Power 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 7A 40A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1305pF @ 50V 2245pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1305pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86102LZ ON Semiconductor 功率MOSFET

7A(Ta),22A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),69W(Tc) 25mΩ@7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 100V 7A -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMNH10H028SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.6W(Ta) 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 100V 40A

暂无价格 0 对比

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