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FDMS3660S  与  AON6908A  区别

型号 FDMS3660S AON6908A
唯样编号 A-FDMS3660S-1 A-AON6908A
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 8 /1.8 mO 21 / 62 nC PowerTrench Asymmetric Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 280
功率 1W -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 4.5mΩ
Qgd(nC) - 9
栅极电压Vgs - 12V
Td(on)(ns) - 10
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6B
连续漏极电流Id 13A,30A 80A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 4380
导通电阻Rds(On) 8m Ohms@13A,10V 3.6mΩ@10V
Schottky Diode - Yes
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 50
功率耗散Pd 1W 78W
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) - 17.2
VGS(th) - 2
FET类型 2N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1765pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
Coss(pF) - 380
Qg*(nC) - 31
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS3660S ON Semiconductor 功率MOSFET

13A,30A 8m Ohms@13A,10V 1W -55°C~150°C(TJ) 2N-Channel 30V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
HP8K24TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 2N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V

¥7.666 

阶梯数 价格
20: ¥7.666
50: ¥5.8932
100: ¥5.2895
300: ¥4.8967
500: ¥4.82
1,000: ¥4.7529
4,000: ¥4.7146
5,000 对比
HP8K24TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 2N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V

¥10.0477 

阶梯数 价格
100: ¥10.0477
500: ¥9.3351
1,000: ¥8.6224
2,500: ¥7.126
2,500 对比
HP8K24TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 2N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V

¥7.666 

阶梯数 价格
20: ¥7.666
50: ¥5.8932
100: ¥5.2895
300: ¥4.8967
500: ¥4.82
1,000: ¥4.7529
2,290 对比
AON6908A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6B N-Channel 30V 12V 80A 78W 3.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比
HP8K24TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 2N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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