FDMC86139P 与 RQ3P045ATTB1 区别
| 型号 | FDMC86139P | RQ3P045ATTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-FDMC86139P | A36-RQ3P045ATTB1 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | FDMC86139P Series 100 V 15 A 67 mOhm SMT P-Channel Power Trench Mosfet - MLP-8 | Pch -100V -14.5A Power MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 67m Ohms@4.4A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),40W(Tc) | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-MLP(3.3x3.3) | HSMT8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.4A | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1335pF @ 50V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,900 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDMC86139P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.4A(Ta),15A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),40W(Tc) 67m Ohms@4.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN Power P-Channel 100V 4.4A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3P045ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
￥7.3785
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2,970 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3P045ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
￥3.0646
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2,900 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3P045ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3P045ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
暂无价格 | 11 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3P045ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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