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FDG8842CZ  与  DMG1016UDW-7  区别

型号 FDG8842CZ DMG1016UDW-7
唯样编号 A-FDG8842CZ A36-DMG1016UDW-7-0
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Dual N & P-Channel 400 mOhm Complementary PowerTrench MOSFET-SC-70-6 Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3/10W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 400 毫欧 @ 750mA,4.5V 450mΩ@600mA,4.5V
上升时间 - 7.4ns,8.1ns
漏源极电压Vds 30V,25V 20V
Pd-功率耗散(Max) 300mW 330mW
Qg-栅极电荷 - 736.6nC,622.4pC
栅极电压Vgs - ±6V
典型关闭延迟时间 - 26.7ns,28.4ns
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SC-70-6 SOT-363
连续漏极电流Id 750mA,410mA 1.066A,845mA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® DMG1016
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 10V 60.67pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.44nC @ 4.5V 0.74nC @ 4.5V
下降时间 - 12.3ns,20.72ns
典型接通延迟时间 - 5.1ns,5.1ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.44nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 955
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥0.4996
200+ :  ¥0.323
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDG8842CZ ON Semiconductor 通用MOSFET

30V,25V 750mA,410mA 400m Ohms@750mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 400 毫欧 @ 750mA,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SC-70-6

暂无价格 0 当前型号
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel

¥0.5551 

阶梯数 价格
100: ¥0.5551
200: ¥0.3588
1,500: ¥0.312
3,000: ¥0.2756
22,973 对比
DMG1016UDWQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N 和 P 沟道互补型 SOT-363 -55℃~150℃(TJ) 20V 1.066A (Ta), 845mA (Ta) 车规

¥0.5901 

阶梯数 价格
90: ¥0.5901
200: ¥0.4809
1,500: ¥0.4376
3,000: ¥0.4084
5,900 对比
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel

¥0.4996 

阶梯数 价格
110: ¥0.4996
200: ¥0.323
955 对比
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel

暂无价格 0 对比
DMG1016UDWQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N 和 P 沟道互补型 SOT-363 -55℃~150℃(TJ) 20V 1.066A (Ta), 845mA (Ta) 车规

暂无价格 0 对比

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