| 型号 | FDG6301N | UM6K1NTN | ||||
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| 唯样编号 | A-FDG6301N | A36-UM6K1NTN | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 25 V 4 Ohm Dual Surface Mount Digital FET - SC-70-6 | N-Channel + N-Channel 150 mW 30 V 13 O SMT 4 V Drive MosFet - SOT-363 (UMT6) | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | SC-88(SC-70-6) | UMT | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.22A | 0.1A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 Ohms@220mA,4.5V | 8Ω@10mA,4V | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 100µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9.5pF @ 10V | 13pF @ 5V | ||||
| 漏源极电压Vds | 25V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | 150mW | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.4nC @ 4.5V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 1,447 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDG6301N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 220mA 4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N-Channel 25V 0.22A SC-88(SC-70-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO7800 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 N-Channel 20V 8V 0.9A 0.3W 300mΩ@4.5V |
￥0.9383
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13,358 | 对比 | ||||||||||
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DMG6301UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 25V 240mA |
￥0.5724
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9,022 | 对比 | ||||||||||
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BSS138DW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 3.5Ω@220mA,10V 200mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 50V 0.2A |
￥0.5759
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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UM6K1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V |
暂无价格 | 2,040 | 对比 | ||||||||||
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UM6K1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V |
￥0.5629
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1,447 | 对比 |
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