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FDG328P  与  ZXM62P02E6TA  区别

型号 FDG328P ZXM62P02E6TA
唯样编号 A-FDG328P A36-ZXM62P02E6TA
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 145 mOhm 2.5V Specified PowerTrench MOSFET ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 750mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 145 毫欧 @ 1.5A,4.5V 200mΩ@1.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 1.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SC-70 SOT-23
连续漏极电流Id 1.5A 2.3A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 337pF @ 10V 320pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V 5.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 337pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 1,587
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.805
100+ :  ¥2.255
750+ :  ¥2.002
1,500+ :  ¥1.892
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDG328P ON Semiconductor 通用MOSFET

6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70

暂无价格 0 当前型号
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥2.805 

阶梯数 价格
20: ¥2.805
100: ¥2.255
750: ¥2.002
1,500: ¥1.892
1,587 对比
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
AO7415 AOS  数据手册 小信号MOSFET

SC70-6

暂无价格 0 对比
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
PMG85XP,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMG85XP_SOT363

¥0.713 

阶梯数 价格
570: ¥0.713
1,000: ¥0.5527
1,500: ¥0.453
3,000: ¥0.4009
0 对比

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