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FDD8647L  与  AUIRFR3504Z  区别

型号 FDD8647L AUIRFR3504Z
唯样编号 A-FDD8647L A-AUIRFR3504Z
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.1W(Ta),43W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 13A,10V 9mΩ
上升时间 - 74ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 30nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
连续漏极电流Id 14A 77A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
下降时间 - 38ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 20V 1510pF @ 25V
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),43W(Tc) 90W
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD8647L ON Semiconductor 通用MOSFET

14A(Ta),42A(Tc) ±20V 3.1W(Ta),43W(Tc) 9m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 40V 14A 9 毫欧 @ 13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IRFR3504ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 90W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@42A,10V N-Channel 40V 77A D-Pak

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

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AUIRFR3504TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 56A(Tc) ±20V 140W(Tc) 9.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

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NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

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AUIRFR3504Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V -55°C~175°C(TJ) 77A 9mΩ 20V 90W N-Channel 车规

暂无价格 0 对比

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