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FDD770N15A  与  IRFR18N15DTRLP  区别

型号 FDD770N15A IRFR18N15DTRLP
唯样编号 A-FDD770N15A A-IRFR18N15DTRLP
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDD770N15A Series 150 V 18 A 77 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 56.8W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 77 毫欧 @ 12A,10V 125mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 56.8W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
连续漏极电流Id 18A 18A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 765pF @ 75V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 765pF @ 75V 900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V 43nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD770N15A ON Semiconductor 通用MOSFET

18A(Tc) ±20V 56.8W(Tc) 77m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 18A 77 毫欧 @ 12A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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N-Channel 150V 18A(Tc) 125mΩ@11A,10V DPAK

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