首页 > 商品目录 > > > > FDD390N15ALZ代替型号比较

FDD390N15ALZ  与  AUIRFR4615  区别

型号 FDD390N15ALZ AUIRFR4615
唯样编号 A-FDD390N15ALZ A-AUIRFR4615
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4615, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 63W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 42 毫欧 @ 26A,10V 42mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 3V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
连续漏极电流Id 26A 33A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1760pF 1750pF @ 50V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 25 ns
漏源极电压Vds 150V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 63W(Tc) 144W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 PowerTrench® HEXFET
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 75V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1760pF @ 75V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC 26nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD390N15ALZ ON Semiconductor 通用MOSFET

26A(Tc) ±20V 63W(Tc) 42m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 26A 42 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IRFR4615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRFR4615 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 33A 42mΩ 144W 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售