FDC655BN 与 DMN3033LDM-7 区别
| 型号 | FDC655BN | DMN3033LDM-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-FDC655BN | A36-DMN3033LDM-7 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 1.6 W 13 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - SSOT-6 | N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 33mΩ@6.9A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SSOT-6 | SOT-26 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 6.9A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 755pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 8,575 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDC655BN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
￥0.5724
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8,575 | 对比 | ||||||||||
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DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.12W(Ta) ±20V SOT-26 -55°C~150°C(TJ) 30V 5.3A(Ta) |
￥0.7667
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2,572 | 对比 | ||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
￥0.6655
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2,434 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥0.8851
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1,100 | 对比 |
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