FDC655BN 与 RTQ035N03TR 区别
| 型号 | FDC655BN | RTQ035N03TR | ||||
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| 唯样编号 | A-FDC655BN | A32-RTQ035N03TR | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 1.6 W 13 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - SSOT-6 | RTQ035N03 Series 30 V 54 mOhm 3.5 A 2.5 V Drive N-Channel Mosfet - TSMT6 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 54m Ohms@3.5A,4.5V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W(Ta) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 12V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SSOT-6 | TSMT | ||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 3.5A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 285pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.4nC @ 4.5V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 15,000 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDC655BN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥1.06
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15,000 | 对比 | |||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
￥0.5517
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8,229 | 对比 | ||||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥1.0219
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥1.8495
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.12W(Ta) ±20V SOT-26 -55°C~150°C(TJ) 30V 5.3A(Ta) |
￥0.7667
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2,387 | 对比 |
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