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FDC640P  与  DMP2305UVT-7  区别

型号 FDC640P DMP2305UVT-7
唯样编号 A-FDC640P A3-DMP2305UVT-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 P-Channel 20 V 0.053 Ohm 2.5V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 53 毫欧 @ 4.5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 1.4W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 60mΩ@4.2A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 727 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7.6 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 SOT-23-3
连续漏极电流Id 4.5A 4.2A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 3,650
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC640P ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 当前型号
DMP2033UVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TSOT-23

暂无价格 12,000 对比
PMN48XP,125 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMN48XP_SOT457

¥1.5338 

阶梯数 价格
580: ¥1.5338
1,000: ¥1.189
1,500: ¥0.9746
3,000: ¥0.878
12,000 对比
DMP2305UVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,650 对比
AO6409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
435 对比
PMN48XP,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMN48XP_SOT457

¥1.5338 

阶梯数 价格
580: ¥1.5338
1,000: ¥1.189
1,500: ¥0.9746
3,000: ¥0.878
0 对比

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