FDC638P 与 IRLMS6802TRPBF 区别
| 型号 | FDC638P | IRLMS6802TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDC638P | A-IRLMS6802TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 20 V 48 mOhm 2.5V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6 | Single P-Channel 20 V 0.100 Ohm 16 nC 2 W Silicon SMT Mosfet - MICRO-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@5.1A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 5.6A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1079pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1079pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC638P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMN48XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 P-Channel 0.53W 150°C -1V,12V -20V -4.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLMS6802TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 50mΩ@5.1A,4.5V P-Channel 20V 5.6A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP2305UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.4W ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMN48XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 P-Channel 0.53W 150°C -1V,12V -20V -4.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMN48XP,125 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 P-Channel 0.53W 150°C 12V,-1V -20V -4.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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