FDC637BNZ 与 SI3460DDV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC637BNZ | SI3460DDV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDC637BNZ | A3t-SI3460DDV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 20 V 24 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 | N-Channel 20 V 0.028 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 23mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 1V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±8V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SSOT-6 | TSOP-6 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 7.9A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 666pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 18nC @ 8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC637BNZ | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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S3K-E3/57T | Vishay | 数据手册 | 整流二极管 |
DO-214AB(SMC) 100A 800V 800V 3A 1.15V 10uA 2.5us -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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S3K-E3/57T | Vishay | 数据手册 | 整流二极管 |
DO-214AB(SMC) 100A 800V 800V 3A 1.15V 10uA 2.5us -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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