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FDC6333C  与  DMG6602SVT-7  区别

型号 FDC6333C DMG6602SVT-7
唯样编号 A-FDC6333C A-DMG6602SVT-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 95m Ohms@2.5A,10V 60mΩ@3.1A,10V
正向跨导-最小值 - 4 S
上升时间 - 5 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW 840mW
Qg-栅极电荷 - 9 nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 13 ns
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SuperSOT TSOT-23
连续漏极电流Id 2.5A/2A 3.4A,2.8A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® DMG
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 282pF @ 15V 400pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V 13nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SuperSOT™-6 SuperSOT

暂无价格 0 当前型号
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TSOT-23

暂无价格 55,500 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 38,500 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TSOT-23

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
14,418 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

¥0.7007 

阶梯数 价格
80: ¥0.7007
200: ¥0.5343
1,500: ¥0.4641
3,000: ¥0.4108
4,054 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TSOT-23

暂无价格 0 对比

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