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FDB035N10A  与  AOB290L  区别

型号 FDB035N10A AOB290L
唯样编号 A-FDB035N10A A36-AOB290L
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 42
功率 333W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5 毫欧 @ 75A,10V 3.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 21
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 31
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 214A 140A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
Ciss(pF) - 7180
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7295pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 65
Td(off)(ns) - 45
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 333W(Tc) 500W
Qrr(nC) - 460
VGS(th) - 4.1
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7295pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V -
Coss(pF) - 2780
Qg*(nC) - 90*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDB035N10A ON Semiconductor 通用MOSFET

120A(Tc) ±20V 333W(Tc) 3.5m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 214A 3.5 毫欧 @ 75A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 120A

¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
0 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 120A

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比

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