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FDB035N10A  与  PSMN3R8-100BS,118  区别

型号 FDB035N10A PSMN3R8-100BS,118
唯样编号 A-FDB035N10A A-PSMN3R8-100BS,118
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 333W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5 毫欧 @ 75A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 333W(Tc) 306W
输出电容 - 660pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
连续漏极电流Id 214A 120A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7295pF @ 25V -
输入电容 - 9900pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7295pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥16.4177
400+ :  ¥13.4572
800+ :  ¥11.7019
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDB035N10A ON Semiconductor 通用MOSFET

120A(Tc) ±20V 333W(Tc) 3.5m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 214A 3.5 毫欧 @ 75A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
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