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FDA59N30  与  STW75NF30  区别

型号 FDA59N30 STW75NF30
唯样编号 A-FDA59N30 A-STW75NF30
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 300 V 0.056 Ohm Flange Mount UniFET Mosfet TO-3PN MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 56 毫欧 @ 29.5A,10V -
漏源极电压Vds 300V -
Pd-功率耗散(Max) 500W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-3PN TO-247-3
连续漏极电流Id 59A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
系列 UniFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4670pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4670pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDA59N30 ON Semiconductor 功率MOSFET

59A(Tc) ±30V 500W(Tc) 56m Ohms@29.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-3P-3,SC-65-3 TO-3PN N-Channel 300V 59A 56 毫欧 @ 29.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

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STW75NF30 STMicro 功率MOSFET

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