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FCPF850N80Z  与  STP10NK60ZFP  区别

型号 FCPF850N80Z STP10NK60ZFP
唯样编号 A-FCPF850N80Z A36-STP10NK60ZFP
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V 750mΩ@4.5A,10V
上升时间 10 ns -
Pd - 功率消耗 28.4 W -
栅极电压Vgs ±20V ±30V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 6A(Tc) 10A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 Single -
Ciss - 输入电容 990 pF -
标准断开延迟时间 40 ns -
最低工作温度 - 55 C -
最高工作温度 + 150 C -
Qg - 闸极充电 22 nC -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 4.5 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
漏源极电压Vds 800V 600V
Pd-功率耗散(Max) 28.4W(Tc) 35W(Tc)
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1370pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,118
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.607
50+ :  ¥2.002
1,000+ :  ¥1.683
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20: ¥2.607
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