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FCPF260N60E  与  R6020JNXC7G  区别

型号 FCPF260N60E R6020JNXC7G
唯样编号 A-FCPF260N60E A32-R6020JNXC7G-2
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 36W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 76W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220FM
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 3.5mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 234 毫欧 @ 10A,15V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 25V -
导通电阻Rds(On) 260 毫欧 @ 7.5A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 45nC @ 15V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥30.0717
500+ :  ¥27.72
1,000+ :  ¥23.0882
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF260N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 260 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 15A(Tc) TO-220FP

暂无价格 0 当前型号
R6020JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥30.0717 

阶梯数 价格
100: ¥30.0717
500: ¥27.72
1,000: ¥23.0882
1,000 对比
STP20NM60FP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 1,000 对比
STP20NM60FP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥17.1 

阶梯数 价格
3: ¥17.1
100: ¥15.264
339 对比
R6015KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 60W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 150 对比
R6020JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

暂无价格 80 对比

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