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FCPF20N60  与  SPP20N60C3  区别

型号 FCPF20N60 SPP20N60C3
唯样编号 A-FCPF20N60 A36-SPP20N60C3
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.19 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@10A,10V 190mΩ
上升时间 - 5ns
Rth - 0.6 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
栅极电压Vgs ±30V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-220F-3 TO-220
连续漏极电流Id 20A 20.7A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 87.0 nC
Ptot max - 156.0W
长度 - 10mm
QG - 87.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
IDpuls max - 62.1 A
下降时间 - 4.5ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.89
RthJC max - 0.6K/W
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 39W(Tc) 208W
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 0.6 K/W
系列 SuperFET™ CoolMOSC3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3080pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
Ptot max - 156.0 W
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 121
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
6+ :  ¥8.8
10+ :  ¥8.778
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1: ¥6.4482
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50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
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7: ¥7.326
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