首页 > 商品目录 > > > > FCPF20N60代替型号比较

FCPF20N60  与  IPP60R160C6  区别

型号 FCPF20N60 IPP60R160C6
唯样编号 A-FCPF20N60 A-IPP60R160C6
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.19 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@10A,10V 140mΩ
上升时间 - 13ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 39W(Tc) 176W
Qg-栅极电荷 - 75nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 96ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220F-3 -
连续漏极电流Id 20A 23.8A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 SuperFET™ CoolMOSC6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3080pF @ 25V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 8ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF20N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

20A(Tc) ±30V 39W(Tc) 190mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 20A TO-220F-3

暂无价格 0 当前型号
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 30,000 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 12,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.741 

阶梯数 价格
20: ¥4.741
100: ¥3.795
1,000: ¥3.63
3,829 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥7.073 

阶梯数 价格
8: ¥7.073
100: ¥5.654
109 对比
IPP60R160C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R160C6XKSA1_600V 23.8A 140mΩ 20V 176W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售