首页 > 商品目录 > > > > FCPF125N65S3代替型号比较

FCPF125N65S3  与  IPA60R120P7  区别

型号 FCPF125N65S3 IPA60R120P7
唯样编号 A-FCPF125N65S3 A-IPA60R120P7
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@12A,10V 120mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 38W(Tc) 28W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 PG-TO220-3
连续漏极电流Id 24A(Tc) 26A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - CoolMOS™ P7
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 2.4mA 4V @ 410µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1790pF @ 400V 1544pF @ 400V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF125N65S3 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
R6030KNXC7 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥15.3511 

阶梯数 价格
10: ¥15.3511
50: ¥15.0636
100: ¥14.7761
378 对比
IPA60R120P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R120P7XKSA1_PG-TO220-3

暂无价格 0 对比
R6030KNXC7 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 0 对比
IPA60R125C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R125C6XKSA1_10.65mm

暂无价格 0 对比
STF33N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售