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FCPF11N60  与  STF13N60M2  区别

型号 FCPF11N60 STF13N60M2
唯样编号 A-FCPF11N60 A-STF13N60M2
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 36 W 52 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ@5.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 25W(Tc)
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220F-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 11A 11A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 580pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F TO-220F-3

暂无价格 0 当前型号
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TO-220FP

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
50: ¥2.772
866 对比
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暂无价格 0 对比

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