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FCP380N60E  与  SIHP12N60E-GE3  区别

型号 FCP380N60E SIHP12N60E-GE3
唯样编号 A-FCP380N60E A3t-SIHP12N60E-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
上升时间 - 19ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 147W
Qg-栅极电荷 - 29nC
栅极电压Vgs - 4V
典型关闭延迟时间 - 35ns
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 12A
系列 - E
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 937pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 19ns
典型接通延迟时间 - 14ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP380N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
SIHP12N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V

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