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FCP16N60  与  IPP65R280C6  区别

型号 FCP16N60 IPP65R280C6
唯样编号 A-FCP16N60 A-IPP65R280C6
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 250mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 105ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 13.8A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
下降时间 - 12ns
典型接通延迟时间 - 13ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP16N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP65R280C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R280C6XKSA1_650V 13.8A 250mΩ 20V 104W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
R6014YNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥29.2455 

阶梯数 价格
6: ¥29.2455
10: ¥16.4914
50: ¥12.7063
100: ¥11.9493
100 对比
R6014YNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 100 对比
R6014YNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比

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