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FCP11N60F  与  STP13NM60N  区别

型号 FCP11N60F STP13NM60N
唯样编号 A-FCP11N60F A36-STP13NM60N
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.38 Ohm Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220 N-Channel 600 V 11 A 0.36 Ohm Flange Mount MDmesh™ II Power MOSFET-TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@5.5A,10V 360mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 125W(Tc) 90W
栅极电压Vgs ±30V 25V
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
连续漏极电流Id 11A 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 SuperFET™ STP13NM60N
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1490pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 3ns
库存与单价
库存 0 893
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥7.051
100+ :  ¥5.643
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP11N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.051 

阶梯数 价格
8: ¥7.051
100: ¥5.643
893 对比
SPP11N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP11N60C3_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP60R520E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R520E6XKSA1_10mm

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STP13NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

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TO-220-3

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