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FCP11N60F  与  IPP60R520E6  区别

型号 FCP11N60F IPP60R520E6
唯样编号 A-FCP11N60F A-IPP60R520E6
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.38 Ohm Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@5.5A,10V 470mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 125W(Tc) 66W
栅极电压Vgs ±30V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB -
连续漏极电流Id 11A 8.1A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 SuperFET™ CoolMOSE6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1490pF @ 25V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP11N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.051 

阶梯数 价格
8: ¥7.051
100: ¥5.643
893 对比
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