首页 > 商品目录 > > > > FCP104N60F代替型号比较

FCP104N60F  与  TK25E60X5,S1X  区别

型号 FCP104N60F TK25E60X5,S1X
唯样编号 A-FCP104N60F A-TK25E60X5,S1X
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 25A TO220
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 104m Ohms@18.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 600 V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) 180W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140 毫欧 @ 7.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2400 pF @ 300 V
Vgs(th) - 4.5V @ 1.2mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 60 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 37A 25A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
系列 HiPerFET™,Polar™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6130pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 145nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A

暂无价格 0 当前型号
STP33N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,000 对比
TK25E60X5,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 180W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 600 V 25A(Ta)

暂无价格 0 对比
STP35N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP60R099C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099C6XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK25E60X,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 180W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 600 V 25A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售