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FCH165N60E  与  FCP165N60E  区别

型号 FCH165N60E FCP165N60E
唯样编号 A-FCH165N60E A3-FCP165N60E
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165 毫欧 @ 11.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-220-3
连续漏极电流Id - 23A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2434pF @ 380V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

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FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

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AOK20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

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FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

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