首页 > 商品目录 > > > > FCH165N60E代替型号比较

FCH165N60E  与  SPW21N50C3  区别

型号 FCH165N60E SPW21N50C3
唯样编号 A-FCH165N60E A-SPW21N50C3
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 208W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id - 21A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 16.13mm
下降时间 - 4.5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IPW65R190C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R190C7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPW21N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW21N50C3FKSA1_500V 21A 190mΩ 20V 208W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOK20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售