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FCH165N60E  与  IPW65R190C7XKSA1  区别

型号 FCH165N60E IPW65R190C7XKSA1
唯样编号 A-FCH165N60E A-IPW65R190C7XKSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 72W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1150pF @ 400V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 290uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 5.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IPW65R190C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R190C7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

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AOK20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

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N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

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