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FCH072N60F  与  R6046FNZ1C9  区别

型号 FCH072N60F R6046FNZ1C9
唯样编号 A-FCH072N60F A33-R6046FNZ1C9
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 481 W 215 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 46A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 120W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 72m Ohms@26A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 481W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6230pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247 TO-247
连续漏极电流Id 52A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
系列 FRFET®,SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8660pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 215nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 98 毫欧 @ 23A,10V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 46A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
库存与单价
库存 0 3
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥64.48
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH072N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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¥53.8223 

阶梯数 价格
120: ¥53.8223
450: ¥39.999
0 对比

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