FCH072N60F 与 R6047ENZ1C9 区别
| 型号 | FCH072N60F | R6047ENZ1C9 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FCH072N60F | A3-R6047ENZ1C9 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 481 W 215 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72m Ohms@26A,10V | 72mΩ@25.8A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 481W(Tc) | 120W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247 |
| 连续漏极电流Id | 52A | 47A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 系列 | FRFET®,SuperFET® II | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 8660pF @ 100V | 3850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 215nC @ 10V | 145nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 470 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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R6047ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A |
暂无价格 | 470 | 对比 | ||||||
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SPW47N60CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 46A 83mΩ 20V 417W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||
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SCT3060ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) TO-247-3 39A 165W 60mΩ 650V 5.6V |
￥135.591
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6 | 对比 | ||||||
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R6046FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
￥64.48
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3 | 对比 | ||||||
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R6047ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A |
￥39.999
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0 | 对比 |
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