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FCH041N60F  与  TK62J60W,S1VQ  区别

型号 FCH041N60F TK62J60W,S1VQ
唯样编号 A-FCH041N60F A-TK62J60W,S1VQ
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 FCH041N60F Series 600 V 76 A 41 mOhm N-Ch SuperFET® II FRFET® MOSFET - TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 41m Ohms@38A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 600 V
Pd-功率耗散(Max) 595W(Tc) 400W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 38 毫欧 @ 30.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6500 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 3.1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 180 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-247 TO-3P(N)
连续漏极电流Id 76A 61.8A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 14365pF @ 100V -
FET功能 - 超级结
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 360nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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