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FCH041N60F  与  IPW60R041P6  区别

型号 FCH041N60F IPW60R041P6
唯样编号 A-FCH041N60F A-IPW60R041P6
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FCH041N60F Series 600 V 76 A 41 mOhm N-Ch SuperFET® II FRFET® MOSFET - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 41m Ohms@38A,10V 37mΩ
上升时间 - 27ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 595W(Tc) 481W
Qg-栅极电荷 - 170nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247 -
连续漏极电流Id 76A 77.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 SuperFET® II CoolMOSP6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 14365pF @ 100V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 360nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 29ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH041N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 TO-247

暂无价格 0 当前型号
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