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FCD850N80Z  与  STD9NM60N  区别

型号 FCD850N80Z STD9NM60N
唯样编号 A-FCD850N80Z A36-STD9NM60N
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V -
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DPAK TO-252-3
连续漏极电流Id 6A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,037
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.542
100+ :  ¥2.959
1,250+ :  ¥2.684
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
IPD65R1K5CE Infineon  数据手册 通用MOSFET

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TO-252

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