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FCD850N80Z  与  IPD70R1K4CEAUMA1  区别

型号 FCD850N80Z IPD70R1K4CEAUMA1
唯样编号 A-FCD850N80Z A3-IPD70R1K4CEAUMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3 MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 53W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 225pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 6A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.5nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.4 欧姆 @ 1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130uA
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
FET功能 - 超级结
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.4A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 700V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R2K0C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD65R1K5CE Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD65R1K5CEAUMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4CE_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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