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FCD850N80Z  与  SPD06N80C3ATMA1  区别

型号 FCD850N80Z SPD06N80C3ATMA1
唯样编号 A-FCD850N80Z A-SPD06N80C3ATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3 MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 785pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 DPAK TO-252-3
连续漏极电流Id 6A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 900 毫欧 @ 3.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 250uA
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 800V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

暂无价格 0 当前型号
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥1.6302 

阶梯数 价格
40: ¥1.6302
100: ¥1.254
1,250: ¥1.0868
2,027 对比
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V

暂无价格 0 对比
SPD06N80C3ATMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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