FCD620N60ZF 与 STD10NM60N 区别
| 型号 | FCD620N60ZF | STD10NM60N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FCD620N60ZF | A-STD10NM60N |
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 600v, 7.3a, 620mohm, n-ch, dpak | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 620m Ohms@3.6A,10V | 550mΩ@4A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 89W(Tc) | 70W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252AA | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | 7.3A | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | HiPerFET™,Polar™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1135pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCD620N60ZF | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDD5N50FTM-WS | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
NA |
暂无价格 | 50,000 | 对比 |
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STD10NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
AOD7S65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STD10NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPD65R650CEAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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